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上海菱端電子有限公司
上海菱端電子科技有限公司專(zhuān)業(yè)代理德國(guó)英飛凌、Vincotech、賽米控、日本富士、三菱等公司的IGBT、IPM等功率模塊及Concept IGBT驅(qū)動(dòng)器。
網(wǎng)站公告
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moreIGBT 基礎(chǔ)
本欄針對(duì)IGBT的構(gòu)造與特征、術(shù)語(yǔ)與特性進(jìn)行說(shuō)明,并對(duì)IGBT相關(guān)技術(shù)理論進(jìn)行詳細(xì)解說(shuō)、分析,使您能夠借此了解并掌握IGBT的基礎(chǔ)理論以及相關(guān)的知識(shí)。
IGBT的構(gòu)造與工作原理詳解
IGBT是由MOSFET和PNP晶體管復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特性,又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特性。
moreIGBT DC-Link
逆變器的直流側(cè)電源,需要通過(guò)直流母線(xiàn)與逆變單元連接,這種供電方式稱(chēng)為DC-Link。本欄主要介紹DC-Link電容器的設(shè)計(jì)選型,低雜散電感直流母線(xiàn)設(shè)計(jì),浪涌吸收設(shè)計(jì)。
雜散電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響
1 簡(jiǎn)介 IGBT的開(kāi)關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義,在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場(chǎng)合,都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量熱設(shè)計(jì)以
moreIGBT 驅(qū)動(dòng)
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用是將控制器輸出的脈沖進(jìn)行功率放大,以驅(qū)動(dòng)IGBT,保證IGBT的可靠工作。本欄重點(diǎn)介紹IGBT的驅(qū)動(dòng)原理,驅(qū)動(dòng)電路及專(zhuān)用集成驅(qū)動(dòng)器。
IGBT雙脈沖測(cè)試方法詳解
對(duì)比不同的IGBT的參數(shù);評(píng)估驅(qū)動(dòng)板的功能和性能;獲取IGBT在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù),以評(píng)估Rgon及Rgoff的數(shù)值是否合適。
moreIGBT 散熱
隨著電力電子裝置向小型化和輕量化發(fā)展,更有效的散熱熱技術(shù)成了研究的重點(diǎn)。本欄重點(diǎn)討論IGBT的功耗特性,熱設(shè)計(jì)的基本理論及熱設(shè)計(jì)的方法和要求。
IGBT模塊損耗、溫度與安全工作區(qū)
IGBT模塊由IGBT部分和FWD部分構(gòu)成,IGBT模塊的損耗源于內(nèi)部IGBT和反并聯(lián)二極管(續(xù)流FWD、整流)芯片的損耗,它們各自發(fā)生的損耗的合計(jì)即為IGBT模塊整體發(fā)生的損耗。另外發(fā)
moreIGBT 變流器
本欄針對(duì)IGBT應(yīng)用的各種電力電子裝置進(jìn)行討論,重點(diǎn)深入介紹伺服驅(qū)動(dòng)、變頻器、電力系統(tǒng)、電能質(zhì)量、新能源等變流器的拓?fù)浼瓣P(guān)鍵技術(shù)。
500KW光伏逆變器IGBT模塊方案對(duì)
500KW逆變器,就IGBT模塊而言,根據(jù)逆變器的拓?fù)溆卸喾N選擇,每一種方案都有優(yōu)缺點(diǎn),總結(jié)起來(lái)分為四種,IGBT單個(gè)模塊,并聯(lián),逆變橋并聯(lián),IPM模塊。 單個(gè)模塊方案主要有單
moreIGBT相關(guān)技術(shù)
一個(gè)資深的電力電子工程師絕不是只懂得IGBT的應(yīng)用技術(shù),而是具備扎實(shí)的理論基礎(chǔ)和豐富的項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),以及電力電子的相關(guān)知識(shí),本欄將針對(duì)相關(guān)技術(shù)的技術(shù)進(jìn)行搜集、整理、分享給大家。
電力電子電路常見(jiàn)波形及分析
電力電子電路的功率輸出級(jí)是在大信號(hào)條件下工作的電路,由于工作電壓高、傳輸電流大,在電路的設(shè)計(jì)中經(jīng)常需要對(duì)電路的各部分進(jìn)行電壓、電流和功率等參數(shù)的計(jì)算或估算,這種
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